Cảm biến đo ORP EHAN

Cảm biến EHAN là lựa chọn tối ưu cho việc đo ORP (thế oxy hóa khử) một cách ổn định và bền bỉ trong các ứng dụng đòi hỏi cao, nhờ vào các đặc điểm như: điện cực Plastogel® có thể thay thế, vòng titan lớn, và giao tiếp kỹ thuật số phục vụ cho kiểm soát quy trình.

Cảm biến kết hợp: ORP (Redox) & Nhiệt độ

Dải đo: ORP (Thế oxy hóa khử): từ –1000 đến +1000 mV

             Nhiệt độ (T°C): từ 0.00 đến +50.00 °C

Cartridge có thể thay thế, sử dụng Plastogel®

Giao tiếp kỹ thuật số: Modbus RS-485

Đo Thế Oxy Hóa Khử

Nguyên lý đo ORP

• Điện cực kết hợp (Combination Electrode): bao gồm điện cực đo ORP (vòng bạch kim) và điện cực tham chiếu Ag/AgCl

• Điện phân gel: chứa KCl (clorua kali)

Dải đo ORP             Từ –1000.0 đến +1000.0 mV

                                Độ phân giải: ±0.1 mV

                                Độ chính xác: ±10 mV

                                Thời gian đáp ứng (T90): < 90 giây

Đo nhiệt độ

Nguyên lý đo:          Cảm biến nhiệt CTN (hệ số nhiệt âm)

Dải đo:                     0.00 °C đến +50.00 °C

Độ phân giải:           0.01 °C

Độ chính xác:          ±0.5 °C

T90:                         < 300 giây

Nhiệt độ lưu trữ:      Từ 0 °C đến +60 °C

Cấp bảo vệ:             IP68 

Giao tiếp tín hiệu:    Modbus RS-485 và SDI-12 (chuẩn)

Tần suất đo tối đa:  < 1 giây

Điện áp hoạt động:  5 đến 12 Volt

Tiêu thụ điện:           Chế độ chờ: 25 µA

                                 Trung bình (RS-485, 1 phép đo/giây): 20 mA

                                 Xung dòng cực đại: 500 mA

                                 Thời gian làm nóng: 100